消息称三星 HBM 基础裸片将推进 2nm 尖端工艺,延续自研 4nm HBM4 路线

三星正规划将一条在建产线转向2nm制程,用于制造HBM基础裸片,预计两年后投产,方案仍存变数。HBM基础裸片自HBM3时代起转向逻辑工艺,HBM4因总线升级更依赖代工厂,此举延续了其自研4nm HBM4路线,与SK海力士携手台积电的路径形成竞争。(硬核工坊)

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